Малошумящие транзисторы АП-355 А...Д

Бескорпусные арсенид-галлиевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости малошумящие полевые транзисторы АП-355 А...Д предназначены для использования в герметизированных гибридно-интегральных схемах усилительных и усилительно-преобразовательных устройств наземной и спутниковой связи, телевидения, радиоастрономической и радиометрической аппаратуры в частотном диапазоне 6...10 ГГц.

1-контактная площадка стока
2-контактная площадка истока
3-контактная площадка затвора
4-защитное покрытие активной области - лак АД - 9103

Все размеры в мкм.Толщина чипа — 120±30. Материал контактных площадок — золото анодное Зл. 999,9 толщиной 0,7 мкм. Монтаж транзистора осуществляется пайкой или приклеиванием обратной стороны кристалла к основанию схемы и приваркой проволочных выводов к контактным площадкам соответствующих электродов. Температура пайки — не выше 300°С, время — не более 3 с. Приварка — методами термокомпрессионной или ультразвуковой сварки, температура столика — не выше 300°С. Соединительные проводники — из золотой проволоки диаметром 15...30 мкм.

Предельно допустимые электрические режимы в диапазоне рабочих температур (минус 60...плюс 85)°С

• Постоянное напряжение сток-исток — 3,5 В;
• Постоянное напряжение затвор-исток — 2,5 В;
• Постоянная рассеиваемая мощность — 70 мВт.
• Непрерывная СВЧ мощность, подаваемая на вход транзистора — 50 мВт.


ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПРИ ТОКР = (25±10)°C