Матрица диодная Y27.340.010 ТУ

Вернуться к списку категорий

Применяются для защиты сверх высокочувствительных изделий микроэлектроники по цепям питания от напряжений и статического электричества. Устройства выполнены на арсениде галлия и представляют собой комбинацию определенным образом включенных диодов с барьером Шоттки. В зависимости от количества задействованных диодов обеспечивается биполярная защита изделий микроэлектроники с напряжением питания 0,5 - 6 В. Электрическое соединение МИС с элементами сборочных единиц осуществляется через контактные площадки путем термокомпрессии или импульсной сварки. Основные преимущества: низкие шумы, высокое быстродействие, широкий диапазон рабочих температур.


ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Падение напряжения при токе в прямом

направлении 1 мА,В

0,5-1,0

Дифференциальное сопротивление в интервале тока в прямом направлении

(5-10) мА, Ом

7-15

Максимально допустимый ток в прямом

направлении, мА

50

Диапазон рабочих температур, °С

-255...+85

Габаритные размеры и схема соединения

12 диодов, мм

1,5x1,0x0,1