Транзисторы средней мощности У23.365.007

Бескорпусные арсенид-галлиевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости полевые транзисторы среднего уровня мощности У23.365.007.01, У23.365.007.02, У23.365.007.03, предназначены для использования в герметизированных гибридно-интегральных схемах генерации, преобразования и усиления мощности сигналов в диапазоне частот 8...12 ГГц.

1 - контактная площадка стока; 2 - контактная площадка истока; 3 - контактная площадка затвора. Материал контактных площадок — золото анодное Зл.999,9 толщиной 0,7 мкм. 4 - защитное покрытие активной бласти — лак АД – 9103. Монтаж транзистора осуществляется пайкой или приклеиванием (при обеспечении условий для отвода тепла) обратной стороны кристалла к основанию схемы и приваркой проволочных выводов к контактным площадкам соот­ветствующих электродов. Температура пайки — не выше 300°С, время — не более 3 с. Приварка — методами термоком­прессионной или ультразвуковой сварки, температура столика — не выше 300°С. Соединительные проводники — из золотой проволоки диаметром 15...30 мкм. ПРЕДЕЛЬНОДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ В ДИАПАЗОНЕ РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР (минус 60...плюс 85)°С Постоянное напряжение сток-исток — 7,0 В; Постоянное напряжение затвор-исток — 3,5 В; Постоянная рассеиваемая мощность*: от минус 60 до плюс 50°С - 400 мВт; от плюс 50 до плюс 85°С — линейно уменьшается от 400 мВт при плюс 50°С до 250 мВт при плюс 85 °С; Непрерывная СВЧ мощность, подаваемая на вход транзистора — 100 мВт. с теплоотводом.

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПРИ ТОКР = (25±10)°C