| Диоды СВЧ
|
 |
УЗА103-3
Интегральные диодные пары арсенид-галиевые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки, смесительные. |
 |
УАА101-3, Умножительные диоды на основе арсенида галлия с барьером Шоттки
Диоды арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки, смесительно-детекторные КРЮБ.430201.001 ТУ. Умножительные диоды на основе арсенида галлия с барьером Шоттки КРЮБ.757631.005 |
 |
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПЕРВИЧНЫЕ ТЕРМОДИОДНЫЕ,
Преобразование температуры исследуемого обьекта или среды в электрический сигнал - напряжение постоянного тока. |
 |
УАА104-6, УАА105-6, ААГЛ.432.124.001
Диоды арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки, смесительно-детекторные КРЮБ.432131.001. СВЧ варакторный диод ААГЛ.432.124.001 |
| Транзисторы СВЧ
|
 |
WAF 303 A,B малошумящие транзисторы
Арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
|
WAF 302 малошумящие транзисторы
Арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
 |
АП-354 А..Д малошумящие транзисторы
Бескорпусные арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
 |
АП-355 А..Д малошумящие транзисторы
Бескорпусные арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
|
АП-356 А..Е малошумящие транзисторы
Бескорпусные арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
 |
АП-357 А..Д малошумящие транзисторы
Бескорпусные арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
 |
АП-358 А..Д малошумящие транзисторы
Бескорпусные арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
 |
КРЮБ.420152.002 А..В транзисторы средней мощности
Бескорпусные арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
 |
КРЮБ.420210.002 А..В транзисторы средней мощности
Арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
 |
УАП 605 А..В транзисторы средней мощности
Арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
 |
У23.365.007 транзисторы средней мощности
Бескорпусные арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
|
УАП-354 А..Д малошумящие транзисторы
Арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
|
УАП-355 А..Д малошумящие транзисторы
Арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
|
УАП-356 А..Д малошумящие транзисторы
Арсенид-галивые, планарно-епитаксиальные с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости. |
 |
Ряд развязывающих и блокирующих конденсаторов
Предназначены для использования в качестве навесных, блокировочных и развязывающих емкостных элементов для планарного монтажа в гибридно-интегральных схемах СВЧ. |
| Усилительно-преобразовательные устройства
|
 |
Приемник LNRFE-35155450 с ограничителем по входу
Приемник предназначен для усиления слабых сигналов с преобразованием их на промежуточную частоту. (На складе 9 шт.) |
| Системы
|
 |
Радиорелейные станции для передачи программ телевидения стационарные и мобильные серии "Сатурн-Т"
"Серия Сатурн-Т8 до Сатурн-Т38" КРЮБ.464423.000...КРЮБ.464423.008. (На складе 5шт.) |
 |
Уровнемер радиолокационный РВР-102
Предназначен для измерения уровня жидких, пастообразных и некоторых сыпучих материалов в закрытых резервуарах. (На складе 10 шт.) |
